| IP.com Number | IPCOM000132405D |
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| Dated | Jan 10, 2006 UTC | ||
| Size | 6 page(s) (0.83 MB) | ||
| Disclosed by |
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| Country | Germany |
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| Language | German |
| Related Person(s) |
(CONTACT) Juergen Carstens |
| Copyright | SIEMENS AG 2005 |
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S
SIM-Karten Heizung
Idee: Bodo Woyde, DE-Berlin; Marcel Quoos, DE-Berlin
Der Betrieb, aber auch die Lagerung von SIM-Karten unterhalb eines spezifizierten oder vorgesehenen Temperaturbereiches kann zu irreversiblen Schaeden fuehren. Fuer den sicheren Betrieb bei tiefen Temperaturen ist eine gezielt dosierte Waermezufuhr vonnoeten. Bisher sind keine Loesungen fuer dieses Problem bekannt.
Die Idee ist es, eine gezielte Zufuhr von dosierten Waermemengen in unmittelbarer Naehe der SIM- Karte durch elektrischen Strom zu gewaehrleisten. Ein MOS-Feldeffekttransistor dient dabei einerseits als Waermequelle, aber auch als aktives Regelungsglied. Auch andere Halbleiterbauelemente, wie z.B. bipolare Transistoren, Dioden etc. liessen sich fuer diesen Zweck in aehnlicher Weise verwenden. Sowohl die Menge der zugefuehrten Waerme, als auch die Einschalttemperatur der Heizung unterliegen elektronischen Regelungen. Zur Steuerung des Einsatzpunktes der Heizung wird ein elektronischer Temperaturfuehler verwendet, wobei ein NTC-Widerstand (NTC, Negative Temperatur Coefficient) unter Ausnutzung der nicht-linearen Eigenschaften der Halbleiter-Steuerkennlinie eingesetzt wird (Abbildung 2). Eine Begrenzerschaltung wiederum verhindert eine moegliche Ueberhitzung der Anordnung (siehe Abbildung 1).
Aehnliche Aufbauten liessen sich auch mit Hilfe von sog. Heizfolien, Peltier-Elementen oder PTC- Widerstaenden (PTC, Positive Temperature Coefficient) realisieren (Abbildung 3), die teilweise auch der Temp...
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